В современном мире где технологии развиваются с каждым днем, понимание основ, на которых строятся наши гаджеты и передовые инновации, становится критически важным. Особенно, если вы хотите оказаться на потенциально успешной стороне инвестиций в эпоху ИИ-бума, который разворачивается по всему миру с начала 2023 года.
В центре этой технологической революции находятся микросхемы памяти. Они являются «кислородом» для работы любого устройства: от смартфонов до серверов, обрабатывающих данные.
Для начала обозначим, что такое DRAM (динамическая оперативная память). Это основной тип памяти, который используется для временного хранения данных, активно обрабатываемых процессором. Благодаря её высокой скорости и способности быстро обновлять информацию, DRAM позволяет устройствам эффективно выполнять задачи, от просмотра веб-страниц до сложных вычислений в области искусственного интеллекта.
Однако с ростом требований к производительности и сложности задач возникает потребность в еще более продвинутых формах памяти. Совсем недавно Nvidia (NASDAQ:NVDA) представила новые графические процессоры (GPU) под названием Blackwell, разработанные специально для задач искусственного интеллекта и машинного обучения. Эти мощные процессоры требуют памяти, способной обрабатывать огромные объемы данных с высочайшей скоростью.
Здесь на помощь приходит HBM (High Bandwidth Memory) — память с высокой пропускной способностью, новое поколение памяти, которое обеспечивает значительно большую пропускную способность и меньшую задержку по сравнению с традиционной DRAM.
По мере того как мы погружаемся все глубже в революцию ИИ, спрос на эти чипы памяти с повышенной производительностью стремительно растет. Goldman Sachs (NYSE:GS) прогнозирует скачок объемов рынка HBM с $2,3 млрд в 2022 году до поразительных $23 млрд к 2026 году.
На рынке высокоскоростных памятных чипов HBM (High-Bandwidth Memory) выделяются три ключевых игрока: SK Hynix (KS:000660) (50% рынка), Samsung Electronics (KS:005930) и Micron. Компании являются главными бенефициарами бурного роста рынка HBM, по мнению GS.
Несмотря на оптимистичные прогнозы, существуют опасения по поводу потенциального перепроизводства HBM, когда все три крупных производителя DRAM начнут активно работать в сегменте HBM. Это могло бы теоретически снизить цены и уменьшить прибыль.
Однако, как Goldman Sachs, так и Citi считают, что производственные сложности и специфические требования к HBM, такие как большие размеры чипов и более сложный процесс изготовления (ведущий к меньшему количеству чипов, соответствующих стандартам качества), по сравнению с DRAM, ограничат предложение, что поддержит высокий уровень цен, особенно учитывая прогнозируемый рост спроса от Nvidia и других клиентов.
Таким образом, инвесторам, заинтересованным в секторе высоких технологий, имеет смысл обратить свое внимание на SK Hynix, Samsung Electronics и Micron. Эти компании выделяются как лидеры на быстрорастущем рынке высокопропускной памяти HBM, который, по прогнозам Goldman Sachs и Citi, станет ключевым компонентом в эволюции искусственного интеллекта и машинного обучения.
Автор: Макс Фокин, аналитик Клуба PRO.FINANSY по США.